ich sitze grad an dem thema elektrochemische herstellung von nanostrukturierten materialen.
das wird an dem beispiel des halbleiters silicium erklärt.
es geht darum, dass in silicium poren durch oxidation in flusssäure , bei belichtung erzeugt werden können.
bis jetzt habe ich verstanden dass die elektronen im silicium durch lichteinstrahlung (temperaturanstieg) frei werden und zu dem positiven pol wandern. die elektronenlöcher (positiv) zum negativen pol wandern.
jetzt verstehe ich nicht warum die elektronenlöcher zum tiefsten punkt der pore wandern und wie es dazu kommt dass gerade dort das silicium aufgelöst wird.
und was genau hat die flusssäure damit zu tun?
wahrscheinlich wird durch die flussäure das silicium aufgelöst..
ich hab jetzt ehrlich ziemlich viel darüber gelesen und irgendwie will es nicht klick machen.
ich würde mich über eine einfache erklärung für dumme freuen
